财联社7月30日讯（编辑 刘越）随着各路资本持续加注人工智能，高带宽内存（HBM）供不应求，包括英伟达、AMD、微软和亚马逊等全球科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。近日HBM“救场”存储芯片巨头财报，三星电子存储业务所在DS部门二季度亏损收窄，SK海力士二季度销售额超出分析师预期，公司表示，生成式AI市场的扩张已迅速推高了对AI服务器内存的需求，因此，HBM3和DDR5等高端产品的销量增加。从二级市场表现来看，沾上HBM概念的A股上市公司也乘风而起，HBM环氧塑封料供应商华海诚科、HBM代理商香农芯创和HBM基板供应商中富电路股价自5月迄今累计最大涨幅分别达157%、158%和136%。
美光科技此前曾表示，AI服务器对DRAM和NAND的容量需求分别是常规服务器的8倍和3倍。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是DRAM，非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。据WSTS统计，2021年存储芯片市场中，DRAM占比达到61%，NAND Flash占比为36%，其他存储芯片占比仅为3%。
东方财富证券2月研报指出，DRAM的市场头部企业为三星、SK海力士、美光等，中国大陆代表企业包括长鑫存储、福建晋华等；NAND Flash的市场头部企业为三星、铠侠、西部数据等，中国大陆代表企业主要为长江存储；NOR Flash的市场头部企业为华邦、旺宏、兆易创新等，中国大陆代表企业主要为兆易创新。
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▌全球存储芯片三大龙头SK海力士、三星和美光业绩反弹 研报指出价格、供需和空间端等吹响行业复苏号角
HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品，是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，能够实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。最新财报显示，存储芯片DRAM三大龙头SK海力士、三星和美光业绩端开始反弹。三星电子23Q2由于智能手机出货量下降而营收下降，但存储业务较上一季度有所改善，官方称主要是由于公司专注于HBM和DDR5产品；SK海力士在截至6月30日的一个季度中，其销售额为7.31万亿韩元（约57亿美元），同比下降47%，但超出分析师预计的6.05万亿韩元。虽然目前HBM在SK海力士的营收占比不及1%，但今年这一比例便有望上升至10%；美光23Q2业绩结束连续三季度的下降迎来反弹，此外，中国台湾地区原厂月度业绩亦连续环比改善。
天风证券潘暕7月17日发布的研报指出，近期存储芯片利好频传拐点或已现，复苏号角似乎已在耳畔。从历史周期维度看，存储行业周期约为3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1价格阶段性见顶，目前已连续6个季度降价，处于周期筑底阶段。
价格方面，今年Q2起，多家供应商发出触底信号。先是三星和美光向经销商发出通知，不再低价接单DRAM及NANDFlash，拒绝接受低于4月的报价。5月份，有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后，三星电子、SK海力士等正在考虑提高报价。6月下旬，供货商中仅三星愿意进行cSSD（消费级固态硬盘）提前交易，经销商希望供货商让步但都遭拒绝。
潘暕指出，供给需求端，6月美光公布预计减产到2024年，早前2022Q4各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期3-4个月来看，供给有明显收缩减产效果将在Q2、Q3加速显现。南亚科表示公司在部分应用领域已出现急单。华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且“量也不少”。
此外，空间端，短期来看23Q2起存储芯片规模或将逐季增长，长期来看AI催化下存储需求有望数倍提升。地缘政治端，海外大厂逐步退出利基市场，美光事件加速本土替代。
▌存储芯片将至未至的底部反转或“迟到”两个季度 机构预计DRAM或较NAND Flash更快复苏 多家A股上市公司跨界布局
值得注意的是，目前存储芯片行业似乎正从多角度证实即将触底反弹，但760亿A股龙头兆易创新股价“依然冷静”。事实上，将至未至的反转甚至已经“姗姗来迟”。近日，市场调研机构Yole Intelligence更新了一份存储芯片市场的监测数据报告，在Yole原本的预测中，全球存储芯片市场将于2023年第二季度开始复苏，但其最新报告指出对于2023年第三季度的存储芯片市场不用再抱太大的希望，乐观估计市场将从今年第四季度开始回暖。
不过，预测存储市场将在即将到来的第四季度复苏的不只是Yole一家。据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称，美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底，开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式，甚至开始抬高价格。该调查机构预计，Q3起，存储芯片价格下跌幅度将会收窄，部分产品合约价格很可能从Q4起出现上升拐点，不同产品线情况有别，明年有望全面复苏。
从市场面的消息来看，DRAM的复苏可能相比NAND Flash来得更快一些。TrendForce集邦咨询最新预计称，第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0-5%。半导体产业纵横7月25日发布的文章《存储芯片的寒风，要停了》中指出，DRAM三季度触底，NAND再等一季。此前有产业链人士表示，三星、SK海力士和美光三大厂商都希望在第三季度拉升DRAM订单的合约价，目标涨幅7%-8%。不过，由于终端市场没有看到明显的复苏迹象，因此上下游目前有明显的拉锯迹象。NAND方面，近日市场也传出上游NAND原厂计划从7月开始调涨价格的消息。
此外，据网信办5月消息，在中国存储市场“占地不菲”的美光公司未能通过网络安全审查，平安证券研报指出，2022年美光在中国大陆的营业收入为33.11亿美元。分析人士指出，倘若美光在中国的业务受限，首先受益的自然是利基存储市场。在技术壁垒相对较低的利基存储领域，兆易创新是成长最快、实力最强的公司。此外，车载存储龙头北京君正和国内SLC NAND领域龙头东芯股份有望受益。下游的存储模组行业，江波龙和佰维存储在全球市场也有较强竞争力，其中江波龙的eMMC及UFS产品在全球市场占有率为6.5%，全球第六，国内第一；佰维存储的eMMC及UFS全球市占率2.4%，全球第八，国内第二。这两家公司的主要供应商都包括美光。
分析人士指出，虽然存储芯片下游的库存压力还在，但通过主要厂商的动态以及行业分析数据来看底部就在眼前，为了赶上行业拐点之后的下一波旺周期，万润科技、力源信息、香农芯创和国芯科技等众多厂商跨界布局。不过，分析人士亦指出，就算把国产存储已有的公司兆易创新、北京君正、东芯股份和普冉股份等算上，目前国产存储产品大都是在SSD模组和NOR Flash层面，很难触及国际厂商大力推行的高端DRAM等市场，这就导致国产存储厂商很难享受增量市场的红利，需要在存储市场供需中随波逐流。
（财联社 刘越）
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